NIKKEI——日本经济新闻中文版

      从专利申请动向还可以发现，华为已着手开发2nm工艺以后的半导体。按照2nm以后使用的晶体管技术“Gate-all-around（全环绕栅极）”这一关键词查询，发现华为在2023年申请了20项相关专利，虽然数量不多，但持续在申请。可见华为可能正在推进研究面向2nm以后的半导体设计和制造技术。

“Gate-all-around”相关的专利申请动向（数据来源：日经XTECH根据Patentfield的数据制图）

      华为还有包含“CFET（互补场效应晶体管）”和“Transistor（晶体管）”关键词的专利申请记录。CFET指的是预计在1nm及更先进技术世代中应用的晶体管技术。通过垂直堆叠晶体管，提升集成度，而不仅仅依赖于微细化。

关键词包含“CFET”和“Transistor”的专利申请动向（数据来源：日经XTECH根据Patentfield的数据制图）

      华为被认为正低调在广东省深圳市建设半导体工厂。估计这是有意自主涉足半导体制造领域，同时也在着力培育半导体制造设备厂商。

      还可以查询到包含“EUV（极紫外线）”和“Lithography（光刻）”关键词的华为的专利申请记录。EUV Lithography（极紫外光刻）是制造尖端半导体不可或缺的技术，但由于美国的制裁，中国无法进口EUV光刻设备。华为正在推进研发包括EUV光刻在内的最尖端光刻技术。也有观察认为，在中国国内，以研究机构为中心，正在推进开发自主的EUV光刻设备。

关键词包含“EUV”和“Lithography”的专利申请动向（数据来源：日经XTECH根据Patentfield的数据制图）

      大下淳一 日经XTECH副主编

      资料来源：

      https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/03310/110700011/

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