NIKKEI——日本经济新闻中文版

      力争实现最尖端半导体代工的日本Rapidus于9月1日在北海道千岁市举行了工厂动工仪式。力争2027年开始量产电路线宽为2纳米(纳米为10亿分之1米)的最尖端半导体。要实现量产，必须跨越制造技术开发、获得国内外客户、确保总额5万亿日元的巨额资金这三大障碍。

出席动工仪式后记者会的Rapidus会长东哲郎(左)与社长小池淳义(9月1日，北海道千岁市)

      Rapidus计划2024年10月之前完成工厂的厂房建设。搬入生产设备后，2025年4月启动试制生产线。力争2027年量产2纳米半导体，将从专注于半导体技术开发的美国IBM获得2纳米半导体的设计技术。

      在动工仪式后举行的记者会上，Rapidus会长东哲郎表示：“今后是最尖端设备影响所有产业的时代。我们希望制造出能留给后代的好产品”。

      量产面临的课题之一是技术上的障碍。在日本国内工厂，作为电子产品大脑的“运算用半导体”最多只能生产40纳米的通用产品。原因是日本国内企业退出了过去提高半导体集成度的微型化竞争。

      在日本国内没有尖端产品的量产工厂、技术人员也缺乏的情况下，Rapidus力争跳跃式地量产属于下一代的最先进的2纳米半导体。

      从极小的2纳米半导体来看，如果没有支持极紫外（EUV）这一最新技术的光刻设备和周边设备，就无法加工半导体电路。这些设备在世界上正成为争夺的目标。

      在半导体材料方面，存在与材料厂商联合开发材料结构和成分配比等的情况。Rapidus也在为确保设备和材料而奔走。东哲郎会长表示：“将扩大与美国科林研发(LamResearch)和荷兰阿斯麦(ASML)等海外设备厂商的合作，使量产取得成功”。

      第二个课题是客户开拓。在半导体代工领域，台积电(TSMC)拥有全球过半份额。以美国英伟达为首的全球半导体制造商均委托台积电制造。韩国三星电子和美国英特尔也涉足代工。在力争借助大规模量产实现低成本的投资竞争中，Rapidus面对巨型企业毫无胜算。