NIKKEI——日本经济新闻中文版

　　三星的论文激增或是危机感的体现？

　　在产业界显示出存在感的是三星电子。论文收录数为23篇，约为上年（15篇）的1.5倍，在各机构中排在首位。除了有关主力业务半导体存储器技术的论文之外，面向堆叠晶体管（CFET）的背接触技术被选为Technology的重点论文之一，三星在逻辑半导体领域也发表了引人注目的成果。

　　不过也有观点认为，三星电子的跃进体现出该公司抱有危机感。最近数年来，三星在DRAM和代工业务上落后于竞争对手的情况突出。因此，为了展示技术实力而有意识地增加投稿的可能性很大。过去有一段时间，该公司曾大幅减少向国际会议的论文投稿。

　　同样在现有业务领域持续苦战的英特尔的论文收录数为12篇，比去年翻了一番。该公司面向3nm制造工艺“Intel3”的晶体管、2.5维（2.5D）封装技术、低功耗·高灵敏度的光接收电路被选为重点论文，论文的质量也很高。

来自日本的论文虽然收录率较高，但在投稿数量方面较少。 （出处：日经XTECH根据VLSI研讨会委员会的资料绘制）

　　在海外机构大显身手的情况下，日本相对低调。论文投稿数为42篇，论文收录数为16篇。虽然收录率高达38%，保持了论文的高质量，但论文收录数与2023年的26篇相比大幅减少。

　　在逻辑半导体领域，2nm世代以后成为焦点

　　今年，逻辑半导体的2nm世代以后的微细化所必需的技术大量被选为Technology的重点论文。涌现出了，把晶体管的电源用布线从信号用布线中分离出来、设置在硅（Si）基板的背面、从而提高集成度和性能的“背面供电”技术，以及一种通过使用过渡金属类材料等新沟道材料代替Si来提高晶体管性能的技术。还有尖端封装技术的发布，在补偿微细化的同时，使半导体高性能化和低成本化。在存储半导体领域，选择了在固态硬盘（SSD）等使用的NAND闪存的布线层引入气隙（空隙）以提高运行速度的技术，以及能够提高DRAM集成度和降低功耗的晶体管技术。

Technology的主要重点论文 （出处：日经XTECH根据VLSI研讨会委员会的资料绘制）

　　在Circuits的重点论文方面，面向数据中心等的HPC（高性能计算）技术大量被选中。数据中心等引领着最近半导体市场的发展。高速连接芯片与封装的连接技术也变得越来越重要，有多篇论文发表。随着生成式AI（人工智能）的崛起，AI相关领域势头强劲，高精度语音识别和有助于早期发现疾病的技术被选为重点论文。

Circuits的主要重点论文 （出处：日经XTECH根据VLSI研讨会委员会的资料绘制）

　　大下淳一    日经XTECH

　　资料来源：https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/09200/?P=2

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