NIKKEI——日本经济新闻中文版

　　先进存储器“高带宽内存（HBM）”的开发竞争正在升温。三星电子等正在追赶在堆叠半导体芯片、提高数据处理能力的技术上领先的SK海力士。对于支撑精细堆叠技术的日系设备和材料企业来说，HBM的普及也是巨大的商机。

　　HBM是把多个DRAM芯片堆叠在一起，提高数据处理能力的新结构半导体存储器。随着需要高速处理大量数据的人工智能（AI）普及，需求正在急剧扩大。

SK海力士在下一代存储器“HBM”领域领先三星

　　由于将半导体电路宽度减至极限的“微细化”正在迎来物理极限，HBM正在把芯片堆叠起来，以三维结构提高处理能力。就像在用于保存数据的NAND型闪存领域展开的堆叠技术竞争一样，在DRAM领域也掀起了堆叠层数的竞争。

　　领先的是在存储器领域排在世界第2位的SK海力士。SK海力士与在AI领域领先的美国英伟达合作，联合开发并持续供应HBM。

　　SK海力士于2023年10～12月在存储器行业率先扭亏为盈，很大程度上是因为利润率较高的HBM的销售增加。SK海力士首席财务官（CFO）金祐贤自信地表示，“HBM将维持年均60%的市场增长。在开发和量产两方面，其他企业很难轻易追上”。

　　SK海力士准备量产的先进产品把DRAM芯片堆叠至8层。作为下一代产品，已开始提供堆叠12层的样品。三星和美光科技也在加紧开发12层的产品。

　　但是技术难度很高，需要与现有DRAM量产不同的加工技术。

　　包括立体结构的布线技术、具有散热特性的封装材料、精密削薄硅晶圆的技术等，SK海力士跃进的背后存在着日本供应商的支持。日本的制造设备厂商迪思科、爱德万测试（Advantest）、TOWA等的股价暴涨的背后也有HBM普及这股强劲东风。