华为的GPU相关专利申请量增加（照片：日经XTECH）

          

      中国华为（HUAWEI）的GPU（图形处理器）相关专利申请量正在增加。在截至2023年的5年里，申请数量增加到了原来的10倍，超过了美国英伟达（NVIDIA）和英特尔（Intel）的申请量。这反映出华为正在大力开发人工智能（AI）相关技术。在半导体制造技术方面，该公司似乎也在瞄准2纳米（nm）以后的制程推进研发。

  

      日经XTECH和日经ELECTRONICS根据日本专利调查公司Patentfield（京都市）的同名专利分析工具进行了分析。以华为向中日美欧等国家申请的专利为对象，分析了与“GPU”、“Accelerator（加速器）”、“EUV（极紫外线）”等关键词相关的专利。并与英伟达、英特尔、韩国三星电子等大型半导体厂商的专利申请动向进行了对比。

   

   围绕AI展开全方位布局

    

      从包含GPU这一关键词的专利来看，最近几年三星电子与华为的申请量激增。2023年华为的申请量为3091项，增加到了2018年的约10倍。2023年的申请量相当于英特尔的3倍、英伟达的5倍。

        

GPU相关专利申请动向（数据来源：日经XTECH根据Patentfield的数据制图）

    

      以中美对立为背景，华为正在加紧构建基于自主技术的AI基础。从半导体到服务器、AI模型，展开了全方位布局。GPU相关专利申请量的增加可能是这种举措的体现。2025年9月，华为宣布将在2028年之前分3代向市场投放用于数据中心的AI半导体新产品。

  

      三星电子申请GPU相关专利较多的原因可能是大力开发了高带宽内存（HBM）。HBM在数据中心中与GPU协同工作，承担AI运算任务。在“GPU”后面加上“HBM”这一关键词来分析就会发现，三星电子申请的专利约5年前就开始猛增。

      

关键词中包含“GPU”和“HBM”的专利申请动向（数据来源：日经XTECH根据Patentfield的数据制图）

       

   着手开发晶体管垂直堆叠及EUV光刻技术

  

      在包含“AI”和“Accelerator”这两个关键词的专利申请中，三星电子、华为、英伟达、英特尔等公司的申请数量均大幅增加。最近几年，英特尔正在开发对抗英伟达GPU的AI半导体（AI Accelerator）。

     

包含“AI”和“Accelerator”关键词的专利申请动向（数据来源：日经XTECH根据Patentfield的数据制图）

   

      从专利申请动向还可以发现，华为已着手开发2nm工艺以后的半导体。按照2nm以后使用的晶体管技术“Gate-all-around（全环绕栅极）”这一关键词查询，发现华为在2023年申请了20项相关专利，虽然数量不多，但持续在申请。可见华为可能正在推进研究面向2nm以后的半导体设计和制造技术。

“Gate-all-around”相关的专利申请动向（数据来源：日经XTECH根据Patentfield的数据制图）

    

      华为还有包含“CFET（互补场效应晶体管）”和“Transistor（晶体管）”关键词的专利申请记录。CFET指的是预计在1nm及更先进技术世代中应用的晶体管技术。通过垂直堆叠晶体管，提升集成度，而不仅仅依赖于微细化。

  

关键词包含“CFET”和“Transistor”的专利申请动向（数据来源：日经XTECH根据Patentfield的数据制图）

    

      华为被认为正低调在广东省深圳市建设半导体工厂。估计这是有意自主涉足半导体制造领域，同时也在着力培育半导体制造设备厂商。

  

      还可以查询到包含“EUV（极紫外线）”和“Lithography（光刻）”关键词的华为的专利申请记录。EUV Lithography（极紫外光刻）是制造尖端半导体不可或缺的技术，但由于美国的制裁，中国无法进口EUV光刻设备。华为正在推进研发包括EUV光刻在内的最尖端光刻技术。也有观察认为，在中国国内，以研究机构为中心，正在推进开发自主的EUV光刻设备。

  

关键词包含“EUV”和“Lithography”的专利申请动向（数据来源：日经XTECH根据Patentfield的数据制图）

    

      大下淳一 日经XTECH副主编

      资料来源：

      https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/03310/110700011/

        

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